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参数资料
| 型号： | IRF9520NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9520NS |
IRF9520NS/L
100
10
1
VGS
TOP -15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
100
10
1
VGS
TOP -15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
-4.5V
-4.5V
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics,
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics,
T J = 175 C
100
10
°
T J = 25 ° C
2.5
2.0
1.5
I D = -6.7A
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = 10V
20μs PULSE WIDTH
8 9
10
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = -10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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