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参数资料
| 型号： | IRF9520NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9520NS |
IRF9520NS/L
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = -4.0 A
V DS =-80V
V DS =-50V
V DS =-20V
600
Ciss
12
400
Coss
8
Crss
200
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
5
10
SEE FIGURE 13
15 20
25
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 175 ° C
10
10
100us
T J = 25 ° C
1ms
1
1
10ms
T J = 175 C
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0 2.6
0.1
1
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10
100
1000
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF9520NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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