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参数资料
| 型号： | IRF9Z20 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9Z20 |
IRF9Z20, SiHF9Z20
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
15
12
V GS = - 10, - 8 V
80 μs Pulse Test
-7V
15
12
80 μs Pulse Test
V GS = - 10
-8V
-7V
9
-6V
9
-6V
6
3
0
-5V
-4V
6
3
0
-5V
-4V
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
90121_01
Negative V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
90121_03
Negative V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Saturation Characteristics
10 2
5
80 μs Pulse Test
V DS = 2 x V GS
10 3
5
Operation in this area limited
by R DS(on)
2
2
10 2
IRF9Z20, SiHF9Z20
10
5
2
1
5
2
10
5
2
IRF9Z22, SiHF9Z22
IRF9Z20, SiHF9Z20
IRF9Z22, SiHF9Z22
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
5
2
0.1
0
T J = 150 ° C
2
4
T J = 25 ° C
6
8
10
1
5
2
0.1
1
2
5
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
2
5
DC
10 2
90121_02
Negative V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
90121_04
Negative V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Transfer Characteristics
Document Number: 90121
S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11
Fig. 4 - Maximum Safe Operating Area
www.vishay.com
3
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z24NSTRR | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| IRF9Z24STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| IRFB42N20D | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
| IRFBA1404P | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 |
| IRFBF30STRR | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z20PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z22 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
| IRF9Z22PBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF9Z24 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
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