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参数资料
| 型号： | IRFB42N20D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB42N20D |
PD- 94208
SMPS MOSFET
IRFB42N20D
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
l Motor Control
Uninterrutible Power Supplies
l
V DSS
200V
R DS(on) max
0.055 ?
I D
44A
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
44
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
31
180
2.4
330
2.2
± 30
2.5
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
0.45
R θ CS
R θ JA
Notes ?
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
through ?
are on page 8
0.50
–––
–––
62
°C/W
www.irf.com
1
5/7/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB42N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4310 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFB4310GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4310HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 140A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRFB4310PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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