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参数资料
| 型号： | IRFB42N20D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB42N20D |
IRFB42N20D
50
V DS
R D
40
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
30
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
20
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.001
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFB4310PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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