收藏本站
参数资料
型号： IRFB42N20D
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 44A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 55 毫欧 @ 26A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3430pF @ 25V
功率 - 最大： 2.4W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
其它名称： *IRFB42N20D
IRFB42N20D
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
200
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.26
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.055
?
V GS = 10V, I D = 26A
?
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 200V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 160V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 30V
nA
-100 V GS = -30V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 26A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
91
24
43
18
69
29
––– S V DS = 50V, I D = 26A
140 I D = 26A
36 nC V DS = 160V
65 V GS = 10V,
––– V DD = 100V
ns
––– R G = 1.8 ?
t f
Fall Time
–––
32
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3430
530
100
5310
210
400
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 160V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 160V ?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
510
26
33
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
44
180
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 26A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t on
2
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– 220 330 ns T J = 25°C, I F = 26A
––– 1860 2790 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
相关PDF资料
PDF描述
IRFBA1404P MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
IRFBF30STRR MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
IRFH5255TRPBF MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
IRFH5306TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
IRFH5406TRPBF MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFB42N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4310 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFB4310GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4310HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 140A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRFB4310PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*