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参数资料
| 型号： | IRFB42N20D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB42N20D |
IRFB42N20D
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 26A
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
Ciss
Coss
12
1000
Crss
8
100
4
FOR TEST CIRCUIT
10
1
10
100
1000
0
0
20
40
60
80
SEE FIGURE 13
100 120
140
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
T J = 175 C
°
100μsec
10
1
10
1
1msec
T J = 25 ° C
Tc = 25°C
Tj = 175°C
10msec
0.1
V GS = 0 V
0.1
Single Pulse
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.4
1
10 100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBA1404P | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 |
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| IRFH5306TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN |
| IRFH5406TRPBF | MOSFET N-CH 60V 40A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB42N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4310 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFB4310GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4310HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 140A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRFB4310PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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