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参数资料
| 型号： | IRF9Z24STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
Top
- 15 V
10 1
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
10 1
25 ° C
175 ° C
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
10 0
10 0
- 4.5 V
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
20 μs Pulse Width
V DS = - 25 V
10 -1
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91091_01
- V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
V GS
91091_03
3.0
- V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
I D = - 11 A
Top
- 15 V
- 10 V
2.5
V GS = - 10 V
- 8.0 V
10 1
10 0
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom - 4.5 V
- 4.5 V
2.0
1.5
1.0
0.5
20 μs Pulse Width
T C = 175 °C
0.0
10 -1
10 0
10 1
- 60 - 40 - 20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
91091_02
- V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91091_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 91091
S11-1063-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB42N20D | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
| IRFBA1404P | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 |
| IRFBF30STRR | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK |
| IRFH5255TRPBF | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN |
| IRFH5306TRPBF | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z24STRR | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z24STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z30 | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z30PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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