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参数资料
| 型号： | IRFH5306TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1125pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFH5306PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
– ––
–– –
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–– –
0.02
–– –
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–– –
–– –
6.9
11
8.1
13.3
m ?
V GS = 10V, I D = 15A
V GS = 4.5V, I D = 15A
V GS(th)
? V GS(th)
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
1.35
–– –
1.8
-6.4
2.35 V
–– – mV/°C
V DS = V GS , I D = 25μA
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–– –
–– –
–– –
–– –
35
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
– ––
– ––
– ––
– ––
– ––
7.8
1.8
1.1
3.0
1.9
4.1
4.9
5.0
150
100
-100
–– –
12
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
μA
nA
S
nC
nC
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 15V, I D = 15A
V DS = 15V
V GS = 4.5V
I D = 15A
See Fig.17 & 18
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–– –
–– –
1.4
9.0
–– –
–– –
?
V DD = 15V, V GS = 4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
26
9.1
6.1
1125
230
102
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
–– –
ns
pF
I D = 15A
R G =1.8 ?
See Fig.15
V GS = 0V
V DS = 15V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–– –
–– –
46
15
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–– –
–– –
– ––
– ––
44
60
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
–– –
–– –
– ––
17
1.0
26
V
ns
T J = 25°C, I S = 15A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 15A, V DD = 15V
Q rr
Reverse Recovery Charge
–– – 18 27 nC
di/dt = 200A/μs
t on
Forward Turn-On Time
Time is dominated by parasitic Inductance
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (Bottom)
Junction-to-Case
– ––
4.9
R θ JC (Top)
R θ JA
R θ JA (<10s)
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
– ––
– ––
– ––
24
35
22
°C/W
2
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 20, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFH6200PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
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