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参数资料
| 型号： | IRFH5406TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 特色产品： | Mid-Voltage Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.4 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVQFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFH5406TR2PBFDKR |
IRFH5406PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V
V GS = 0V, I D = 250uA
ΔΒ V DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.07
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1.0mA
m Ω
R DS(on)
V GS(th)
Δ V GS(th)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
2.0
–––
11.4
–––
-8.6
14.4
4.0 V
––– mV/°C
V GS = 10V, I D = 24A
V DS = V GS , I D = 50 μ A
I DSS
I GSS
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
250
100
-100
μ A
nA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 60V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 20V
V GS = -20V
gfs
Q g
Q gs1
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
27
–––
–––
–––
21
3.6
––– S
32
–––
V DS = 25V, I D = 24A
V DS = 30V
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
–––
–––
–––
–––
1.9
6.5
9
8.4
–––
–––
–––
–––
nC
V GS = 10V
I D = 24A
Q oss
Output Charge
–––
7.4
––– nC
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.1
5.4
8.7
12
3.5
1256
206
92
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Ω
ns
pF
V DD = 30V, V GS = 10V
I D = 24A
R G =1.7 Ω
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
45
24
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
40
160
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
––– ––– 1.3 V
––– 20 30 ns
––– 74 111 nC
T J = 25°C, I S = 24A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 24A, V DD = 30V
di/dt = 500A/ μ s
t on
Forward Turn-On Time
Time is dominated by parasitic Inductance
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (Bottom)
R θ JC (Top)
R θ JA
R θ JA (<10s)
Junction-to-Case
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
–––
2.7
15
35
22
°C/W
2
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PEL12S-4025F-N4024 | ENCODER MECH ILL 12MM ORANGE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH5406TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor |
| IRFH5406TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH6200PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH6200TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 100A 1.2mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH6200TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N-CHANNEL MOSFET 20V 100A PQFN-8 |
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