参数资料
型号: IRFH5406TR2PBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
产品目录绘图: IR Hexfet PQFN
特色产品: Mid-Voltage Power MOSFETs
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14.4 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1256pF @ 25V
功率 - 最大: 3.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVQFN
供应商设备封装: PQFN(5x6)
包装: 标准包装
其它名称: IRFH5406TR2PBFDKR
IRFH5406PbF
1000
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.00V
5.50V
5.00V
4.50V
4.00V
3.75V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.00V
5.50V
5.00V
4.50V
4.00V
3.75V
10
1
0.1
1
3.75V
0.01
3.75V
0.1
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.8
ID = 24A
VGS = 10V
100
1.6
10
1
0.1
T J = 150°C
T J = 25°C
VDS = 25V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature
100000
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14
12
10
8
ID= 24A
VDS= 48V
VDS= 30V
VDS= 12V
Coss
6
100
10
Crss
4
2
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage
3
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December 16, 2013
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PDF描述
PEL12S-4025F-N4024 ENCODER MECH ILL 12MM ORANGE
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