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参数资料
| 型号： | IRFH5406TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 特色产品： | Mid-Voltage Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.4 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVQFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFH5406TR2PBFDKR |
IRFH5406PbF
35
200
30
25
ID = 24A
150
ID
TOP 3.1A
6.7A
BOTTOM 24A
20
TJ = 125°C
100
15
50
10
T J = 25°C
5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
15V
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
V (BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
I AS
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
- V DD
V DS
V GS
R G
GS
V 10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1
R D
D.U.T.
+
V DS
90%
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
Fig 15b. Switching Time Waveforms
5
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PEL12S-4025F-N4024 | ENCODER MECH ILL 12MM ORANGE |
| A390P | RECTIFIER DSC 1000V 400A DO200AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH5406TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor |
| IRFH5406TRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH6200PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH6200TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 100A 1.2mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH6200TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N-CHANNEL MOSFET 20V 100A PQFN-8 |
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