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参数资料
| 型号： | IRFH5406TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 特色产品： | Mid-Voltage Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.4 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1256pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVQFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFH5406TR2PBFDKR |
IRFH5406PbF
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100
T J = 150°C
100
100 μ sec
10
10
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.10
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
45
40
35
30
25
20
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
15
10
5
0
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250 μ A
ID = 50 μ A
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case (Bottom) Temperature
10
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
1
0.1
D = 0.50
0.20
0.10
0.02
0.01
0.05
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)
4
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFH6200TR2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N-CHANNEL MOSFET 20V 100A PQFN-8 |
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