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参数资料
| 型号： | IRFH7923TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1095pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7923TRPBFDKR |
IRFH7923PbF
16
2.2
14
2.0
12
10
1.8
8
6
4
2
1.6
1.4
1.2
I D = 25μA
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
10
0.20
0.10
0.05
1
0.1
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
R 5
R 5
τ 5
τ 5
τ a
Ri (°C/W)
2.185739
6.878609
10.36243
11.05530
τ i (sec)
0.000402
0.013524
0.33841
4.926
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i Ri
9.52069 63.0
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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