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参数资料
| 型号： | IRFH7923TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1095pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRFH7923TRPBFDKR |
IRFH7923PbF
25
120
ID = 15A
100
TOP
ID
2.32A
20
15
80
60
3.30A
BOTTOM 12.0A
10
T J = 125°C
40
5
T J = 25°C
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
15V
V DS
R D
- V DD
VDS
L
DRIVER
R G
V GS
D.U.T.
+
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
GS
V 10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
tp
V (BR)DSS
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
6
Fig 15b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFHS9301TR2PBF | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| IRFI1310N | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP |
| IRFI520N | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| IRFIZ24E | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFH7928PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRFH7928TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFH7932PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN |
| IRFH7932TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFH7932TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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