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参数资料
| 型号： | IRFI520N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFI520N |
IRFI520N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
100
–––
–––
0.11
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.20
?
V GS = 10V, I D = 4.3A ?
––– R G = 22 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.5
23
32
23
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 5.7A ?
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
25 I D = 5.7A
4.4 nC V DS = 80V
11 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 50V
––– I D = 5.7A
ns
––– R D = 8.6 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
––––––
4.5
7.5
–––
– – – – – –
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
92 ––– V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
330 ––– V GS = 0V
pF
54 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
99
390
7.6
38
1.3
150
580
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 4.3A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 5.7A
di/dt = 100A/μs ??
G
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 4.7mH
R G = 25 ? , I AS = 5.7A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 5.7A, di/dt ≤ 240A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz
? Uses IRF520N data and test conditions
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参数描述 |
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| IRFI520NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
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