参数资料
型号: IRFI520N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 4.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V
功率 - 最大: 30W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRFI520N
IRFI520N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
Reverse
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V
*
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
V DD
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFETS
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