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参数资料
| 型号： | IRFI520N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFI520N |
IRFI520N
600
500
C iss
V GS
C is s
C rs s
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 5.7A
V D S = 80V
V D S = 50V
V D S = 20V
400
12
300
200
C oss
C rs s
8
4
100
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
S E E FIG U R E 13
15 20
25
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
100
100
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10μ s
10
10
T J = 175°C
T J = 25°C
1
100μ s
1m s
10m s
T J
1
V G S = 0V
A
0.1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI530N | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| IRFIZ24E | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP |
| IRFIZ34E | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP |
| IRFIZ46NPBF | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ46N | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI520NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
| IRFI520NPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFI520NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRFI5210 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI530 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-220AB |
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