参数资料
型号: IRFI520N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 4.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V
功率 - 最大: 30W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRFI520N
IRFI520N
V DS
L
D.U.T.
200
TO P
I D
2.3A
4.0A
R G
+
160
B O TTO M
5.7A
-
V DD
10 V
t p
I AS
0.01 ?
120
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
80
40
V DD
0
V D D = 25V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
S tarting T J , Junction T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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