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参数资料
| 型号： | IRFI530N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 41W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFI530N |
IRFI530N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.12
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.11
?
V GS = 10V, I D = 6.6A ?
––– R G = 12 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
6.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.4
27
37
25
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 50V, I D = 9.0A ?
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
44 I D = 9.0A
6.2 nC V DS = 80V
21 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 50V
––– I D = 9.0A
ns
––– R D = 5.5 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
88 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
640 ––– V GS = 0V
160 ––– V DS = 25V
pF
12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
130
650
12
60
1.3
190
970
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 6.6A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 9.0A
di/dt = 100A/μs ??
G
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 3.1mH
R G = 25 ? , I AS = 9.0A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 9.0A, di/dt ≤ 520A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? t=60s, ?=60Hz
? Uses IRF530N data and test conditions
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI530NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
| IRFI530NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI540 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB |
| IRFI540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFI540ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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