参数资料
型号: IRFI530N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 41W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRFI530N
IRFI530N
L
V DS
350
I D
R G
10 V
t p
D.U.T.
I AS
0.01 ?
+
-
V DD
300
250
200
TO P
B O TTO M
3.7 A
6.4A
9.0A
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
150
100
50
V DD
0
V D D = 25V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
S tarting T J , Junction T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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IRFI540 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB
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