参数资料
型号: IRFI530N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 41W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRFI530N
IRFI530N
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
20μs P U LS E W ID TH
20μs P U LS E W ID TH
1
T J = 25°C
A
1
T J = 175°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D ra in-to-S o urc e V o lta ge (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
3.0
2.5
I D = 15A
10
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS = 5 0V
1
4
5
6
7
2 0 μ s P U L S E W ID T H
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10V
A
100 120 140 160 180
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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PDF描述
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