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参数资料
| 型号： | IRFI9610G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | IRFI9610G |
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V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-D
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9640 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFI9620G | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9620GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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