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参数资料
| 型号： | IRFIB6N60A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）最大值\u003d 0.75ohm，身份证\u003d 5.5A） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IRFIB6N60A |
01/12/99
IRFIB6N60A
SMPS
MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
l
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Applications
V
DSS
600V
Rds(on) max
0.75
W
I
D
5.5A
Typical SMPS Topologies:
l
Single Transistor Forward
l
Active Clamped Forward
Notes
through
are on page 8
www.irf.com
S
D
G
TO-220 FULLPAK
1
Parameter
Max.
5.5
3.5
37
60
0.48
± 30
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD - 91813
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRFIB8N50K | SMPS MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFIB7N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIB7N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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