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参数资料
| 型号： | IRFIB6N60A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）最大值\u003d 0.75ohm，身份证\u003d 5.5A） |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IRFIB6N60A |
IRFIB6N60A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
5.5
–––
–––
––– 49 I
D
= 9.2A
–––
–––
13
–––
–––
20
–––
13
–––
–––
25
–––
–––
30
–––
–––
22
–––
–––
1400
–––
–––
180
–––
–––
7.1
–––
–––
1957
–––
–––
49
–––
–––
96
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 5.5A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 300V
I
D
= 9.2A
R
G
= 9.1
W
R
D
= 35.5
W
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
0.75
4.0
25
250
100
-100
V
W
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
290
9.2
6.0
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.2A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
530
3.0
1.5
800
4.4
V
ns
μC
Diode Characteristics
5.5
37
A
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.1
65
Units
R
q
JC
Junction-to-Case
R
q
JA
Junction-to-Ambient
°C/W
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PDF描述 |
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| IRFIB7N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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