型号: | IRFI9610G |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET POWER MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 170K |
代理商: | IRFI9610G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFI9640 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
IRFI9640G | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
IRFI9Z24G | HEXFET POWER MOSFET |
IRFI9Z24N | HEXFET Power MOSFET |
IRFIB6N60A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFI9610G | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FULLPAK |
IRFI9610G.PBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET P FULLPAK |
IRFI9610GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFI9620G | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFI9620GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |