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参数资料
| 型号： | IRFI9640G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d-为200V，的Rds（on）\u003d 0.50ohm，身份证\u003d- 6.1A） |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | IRFI9640G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFI9Z14G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z14GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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