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参数资料
| 型号： | IRFI9Z24G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | IRFI9Z24G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI9Z24N | HEXFET Power MOSFET |
| IRFIB6N60A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A) |
| IRFIB8N50K | SMPS MOSFET |
| IRFIBC30 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| IRFIBC30G | GT 19C 19#16 PIN RECP BOX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFI9Z24GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z24N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFI9Z34G | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z34GPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFI9Z34N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (-55V, 0.1ohm, -14A) |
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