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参数资料
| 型号： | IRFI9Z24N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRFI9Z24N |
IRFI9Z24N
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
J
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -25V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
180
R
D
(
A
V = -10V
I = -12A
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