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参数资料
| 型号： | IRFIZ46NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ46NPBF |
IRFIZ46NPbF
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
4.5V
10
4.5V
1
20μs PULSE WIDTH
T T C J = 25°C
A
1
20μs PULSE WIDTH
T T CJ = 175°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25°C
T J = 175°C
2.5
2.0
1.5
I D = 28A
1.0
10
0.5
V DS = 25V
1
4
5
6
7
20μs PULSE WIDTH
8 9 10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
A
80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ46N | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
| IRFL024NTR | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| IRFL1006TR | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ48 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IR DOES NOT RECOGNIZE P/N |
| IRFIZ48G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ48GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48N | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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