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参数资料
| 型号： | IRFL1006 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFL1006 |
IRFL1006
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60 ––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
––– 0.057 –––
––– ––– 0.22
V/°C
?
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 1.6A ?
––– 18 ––– R G = 49 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
2.0 ––– 4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
3.0 ––– ––– S V DS = 25V, I D = 1.6A
––– ––– 25 V DS = 60V, V GS = 0V
μA
––– ––– 250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 125°C
––– ––– 100 V GS = 20V
nA
––– ––– -100 V GS = -20V
––– ––– 8.0 I D = 1.6A
––– ––– 1.7 nC V DS = 48V
––– ––– 3.3 V GS = 10V, See Fig. 6 and 9 ?
––– 7.4 ––– V DD = 30V
––– 18 ––– I D = 1.6A
ns
––– 17 ––– R D = 19 ? , See Fig. 10 ?
––– 160 ––– V GS = 0V
––– 55 ––– pF V DS = 25V
––– 19 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– ––– 1.6
––– ––– 6.4
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 1.6A, V GS = 0V ?
––– 31 47 ns T J = 25°C, I F = 1.6A
––– 46 68 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 42 mH
R G = 25 ? , I AS = 1.6A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 1.6A, di/dt ≤ 260A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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