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参数资料
| 型号： | IRFL1006 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFL1006 |
IRFL1006
2.0
V DS
R D
1.5
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
1.0
0.5
10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
V GS
Case Temperature
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1000
100
D = 0.50
0.20
0.10
10
0.05
1
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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