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参数资料
| 型号： | IRFL1006 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFL1006 |
IRFL1006
300
240
180
120
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
Coss
20
16
12
8
I D = 1.6A
V DS = 48V
V DS = 30V
V DS = 12V
60
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
2
4
SEE FIGURE 13
6 8
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 150 C
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
°
10
1
100us
T J = 25 ° C
1
1ms
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0 1.2
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3296W-1-204RLF | TRIMMER 200K OHM 0.5W TH |
| IRF7467 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| IRF7466 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| IRF7464 | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| UB15KKG015F-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL1006HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| IRFL1006PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 2.3A 220mOhm 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL1006TR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFL110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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