- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录446 > IRFL4310TR (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFL4310TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet SOT-223 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFL4310DKR |
IRFL4310
Tape & Reel Information
SOT-223 Outline
TR
2.05 (.080)
1.95 (.077)
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
7.55 (.297)
7.45 (.294)
7.60 (.299)
7.40 (.292)
16.30 (.641)
15.70 (.619)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
TYP.
FEED DIRECTION
7.10 (.279)
2.30 (.090)
12.10 (.475)
11.90 (.469)
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
3. EACH O330.00 (13.00) REEL CONTAINS 2,500 DEVICES.
13.20 (.519)
12.80 (.504)
330.00
(13.000)
MAX.
NOTES :
1. OUTLINE COMFORMS TO EIA-418-1.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER..
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
6.90 (.272)
15.40 (.607)
11.90 (.469)
4
14.40 (.566)
12.40 (.488)
3
2.10 (.083)
50.00 (1.969)
MIN.
18.40 (.724)
MAX.
4
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 5/99
www.irf.com
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
| IRFP044N | MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC |
| IRFP048N | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC |
| IRFP054N | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
| IRFP140N | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL4310TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL4310TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET 100V 1.6A SOT-223 |
| IRFL4310TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 2.1 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 |
| IRFL4315 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFL4315HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。