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参数资料
| 型号： | IRFM210B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 770 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | S0T-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 705K |
| 代理商： | IRFM210B |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM214B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFM220A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.8Ω，漏电流为1.13A）) |
| IRFM220B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFM224B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFM240 | N?CHANNEL POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFM210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM214A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 640MA I(D) | SOT-223 |
| IRFM214B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| IRFM214BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM220A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | SOT-223 |
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