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参数资料
| 型号： | IRFM210B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 770 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | S0T-223, 4 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 705K |
| 代理商： | IRFM210B |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
3.00
±
0.10
7
±
0
0
±
0
0
3
±
0
1
±
0
(
(
(
(
1
±
0
0.70
±
0.10
4.60
±
0.25
6.50
±
0.20
(0.95)
(0.95)
2.30 TYP
0.25
MAX1.80
0
°
~10
°
+0.10
–0.05
0.06
+0.04
–0.02
SOT-223
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM214B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFM220A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.8Ω，漏电流为1.13A）) |
| IRFM220B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFM224B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFM240 | N?CHANNEL POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFM210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM214A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 640MA I(D) | SOT-223 |
| IRFM214B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| IRFM214BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM220A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | SOT-223 |
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