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参数资料
型号： IRFP048N
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
标准包装： 25
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 64A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 16 毫欧 @ 37A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 89nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1900pF @ 25V
功率 - 最大： 140W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247AC
包装： 散装
其它名称： *IRFP048N
IRFP048N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
? V (BR)DSS / ? T J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
55
–––
–––
0.052
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.016
?
V GS = 10V, I D = 37A ?
––– R G = 5.1 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
78
32
48
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 32A ?
25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
89 I D = 32A
20 nC V DS = 44V
39 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 28V
––– I D = 32A
ns
––– R D = 0.85 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
5.0
13
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1900
620
270
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
(Body Diode)
–––
–––
45
MOSFET symbol
showing the
D
I SM
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
–––
–––
210
A
integral reverse
p-n junction diode.
G
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
94
360
1.3
140
540
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 37A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 32A
di/dt = 100A/μs ??
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 530μH
R G = 25 ? , I AS = 32A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 32A, di/dt ≤ 250A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRFZ48N data and test conditions
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PDF描述
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IRFP048NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048R 功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP048R_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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