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参数资料
| 型号： | IRFP048N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP048N |
IRFP048N
4000
V GS
C is s
C rs s
C o ss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH O RTE D
= C gd
= C ds +C g d
20
16
I D = 3 2A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
3000
C is s
12
2000
1000
C os s
C rs s
8
4
FO R TES T C IR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIG U R E 13
60 80
100
A
1000
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O PER ATIO N IN T HIS AR EA LIMITE D
BY R DS (on)
100
10
T J = 1 75 °C
T J = 2 5°C
100
10
10μ s
1 00μs
1 ms
1
10m s
V G S = 0 V
T J
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2 2.6
A
1
1
T C = 25 °C
= 17 5°C
S in gle Pu lse
10
100
A
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP054N | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
| IRFP140N | MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC |
| IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| IRFP150N | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
| IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP048NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP048NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP048PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP048R | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFP048R_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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