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参数资料
| 型号： | IRFP460ASPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SMD-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFP460ASPBF |
IRFP460AS
6
www.irf.com
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (B R)DSS
I AS
R G
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
V DS
+
-
VDD
DRIV E R
A
15 V
20V
Fig 12d. Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
540
560
580
600
620
0
4
8
1 21 62 0
A
DS
av
I
, A v alan ch e C urren t (A)
V
,
A
v
a
lanc
he
V
o
lt
a
g
e
(V
)
25
50
75
100
125
150
0
400
800
1200
1600
2000
2400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
,
Single
Pulse
Avalanche
Energy
(mJ)
J
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
8.9A
13A
20A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24-019 | 17 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRGAC50F | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| IRH3054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRH4054 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFP460B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET |
| IRFP460BPBF | 功能描述:MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460C | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel C-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP460LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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