参数资料
型号: IRFR13N15DTRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
标准包装: 6,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫欧 @ 8.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 620pF @ 25V
功率 - 最大: 86W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U13N15DPbF
100
10
VGS
TOP    15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
100
VGS
TOP    15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
10
1
5.0V
1
0.1
5.0V
0.01
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10             100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 175 C
100
10
1
°
T J = 25 ° C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 14A
0.1
5
6
7
8
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
9 10
11
0.0
-60 -40 -20 0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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