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参数资料
| 型号： | IRFR13N15DTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U13N15DPbF
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRF R120
WITH AS SEMBLY
LOT CODE 1234
AS SEMBLED ON WW 16, 1999
INT ERNAT IONAL
RECT IF IER
LOGO
IRFU120
916A
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 9 = 1999
IN T HE ASS EMBLY LINE "A"
Note: "P" in ass embly line position
indicates "Lead-F ree"
ASS EMBLY
LOT CODE
12
34
WEEK 16
LINE A
OR
PART NUMBER
INTERNATIONAL
8
RECTIFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
IRFU120
12 34
DAT E CODE
P = DESIGNAT ES LEAD-F REE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = AS SEMBLY S IT E CODE
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G3T12AP | SWITCH TOGGLE SPDT .4VA STR SMD |
| B32521C1105K189 | FILM CAP 1.0000UF 10% 100V |
| 445W25K24M00000 | CRYSTAL 24.00000 MHZ 8PF SMD |
| B32672L8123J189 | FILM CAP 12NF 5% 700VAC MKP |
| A13AV1 | SW TOGGLE SPDT VERT IN BRKT PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR13N15DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N15DTRRP | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR13N20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
| IRFR13N20D | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR13N20DCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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