- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21788 > IRFR13N15DTRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 150V 14A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR13N15DTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U13N15DPbF
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 8.3A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
1000
Ciss
12
100
Coss
8
Crss
4
10
FOR TEST CIRCUIT
1
10 100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
1000
0
0
5
10
15
SEE FIGURE 13
20 25
30
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
T J = 175 ° C
10
1000
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
T J = 25 ° C
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G3T12AP | SWITCH TOGGLE SPDT .4VA STR SMD |
| B32521C1105K189 | FILM CAP 1.0000UF 10% 100V |
| 445W25K24M00000 | CRYSTAL 24.00000 MHZ 8PF SMD |
| B32672L8123J189 | FILM CAP 12NF 5% 700VAC MKP |
| A13AV1 | SW TOGGLE SPDT VERT IN BRKT PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR13N15DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N15DTRRP | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR13N20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
| IRFR13N20D | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR13N20DCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。