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参数资料
| 型号： | IRFR13N15DTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 86W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U13N15DPbF
15V
240
TOP
I D
3.4A
VDS
L
DRIVER
200
BOTTOM
5.9A
8.3A
160
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
120
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
80
40
0
tp
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V G
Q GS
Q GD
V GS
D.U.T.
+
V
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G3T12AP | SWITCH TOGGLE SPDT .4VA STR SMD |
| B32521C1105K189 | FILM CAP 1.0000UF 10% 100V |
| 445W25K24M00000 | CRYSTAL 24.00000 MHZ 8PF SMD |
| B32672L8123J189 | FILM CAP 12NF 5% 700VAC MKP |
| A13AV1 | SW TOGGLE SPDT VERT IN BRKT PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR13N15DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR13N15DTRRP | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR13N20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) |
| IRFR13N20D | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR13N20DCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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