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参数资料
型号： IRFR18N15D
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的开关电源
文件页数： 2/10页
文件大小： 126K
代理商： IRFR18N15D
IRFR18N15D/IRFU18N15D
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
4.2
–––
–––
28
–––
7.6
–––
14
–––
8.8
–––
25
–––
15
–––
9.8
–––
900
–––
190
–––
49
–––
1160
–––
88
–––
95
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 11A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
43 I
D
= 11A
11
nC
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 11A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
200
11
11
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
130
660
1.3
190
980
V
ns
nC
Diode Characteristics
18
72
A
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
––– 0.125
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.5
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.4
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
相关PDF资料
PDF描述
IRFU18N15D SMPS MOSFET
IRFR1N60A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A)
IRFU1N60A ER 6C 6#16S PIN PLUG
IRFR214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFR18N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Bulk
IRFR18N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR18N15DTR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR18N15DTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR18N15DTRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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