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参数资料
| 型号： | IRFR18N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRFR18N15D |
IRFR18N15D/IRFU18N15D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
11A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU18N15D | SMPS MOSFET |
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| IRFU214 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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