- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17577 > IRFR3412TRRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 48A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3412TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95498A
IRFR3412PbF
SMPS MOSFET
IRFU3412PbF
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l
l
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Motor Drive
Bridge Converters
V DSS
100V
R DS(on) max
0.025 ?
I D
48A ?
l
l
All Zero Voltage Switching
Lead-Free
Benefits
l
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
D-Pak
IRFR3412
I-Pak
IRFU3412
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
T J
T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 second
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
48 ?
34 ?
190
140
0.95
± 20
6.4
-55 to + 175
300(1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
48 ?
190
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
––– ––– 1.3 V
––– 68 100 ns
––– 160 240 nC
T J = 25°C, I S = 29A, V GS = 0V
T J = 125°C, I F = 29A
di/dt = 100A/μs ?
?
I RRM
t on
Reverse RecoveryCurrent
Forward Turn-On Time
––– 4.5 6.8 A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
www.irf.com
1
12/03/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| NSVBAS21HT3G | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| IRFR3418TRLPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
| BAS19LT3G | DIODE SS SW 120V 200MA SOT-23 |
| T95X106M010CZAL | CAP TANT 10UF 10V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3418 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR3418HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Bulk |
| IRFR3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3418TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3418TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:80V 70.000A D-PAK - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。