- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17577 > IRFR3412TRRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 48A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3412TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3412PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.10
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.025
?
V GS = 10V, I D = 29A
?
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
1.0 V DS = 95V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 29A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
59
21
17
19
68
44
––– S V DS = 50V, I D = 29A
89 I D = 29A
32 nC V DS = 50V
26 V GS = 10V, ?
––– V DD = 50V
ns
––– R G = 6.8 ?
t f
Fall Time
–––
37
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3430
270
150
1040
170
270
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 80V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 80V ?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
160
29
14
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
1.05
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See Fig. 11)
? Starting T J = 25°C, L = 0.38mH, R G = 25 ? ,
I AS = 29A, (See Figure 12a)
? I SD ≤ 29A, di/dt ≤ 420A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| NSVBAS21HT3G | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| IRFR3418TRLPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
| BAS19LT3G | DIODE SS SW 120V 200MA SOT-23 |
| T95X106M010CZAL | CAP TANT 10UF 10V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3418 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR3418HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Bulk |
| IRFR3418PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3418TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3418TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:80V 70.000A D-PAK - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。