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参数资料
| 型号： | IRFR3412TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3412PbF
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
10
1
10
0.1
4.5V
4.5V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
0.01
0.1
1
T J = 25
° C
10
100
1
0.1
1
T J = 175
10
° C
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
I D = 48A
2.5
100
J T = 175 C
10
°
T J = 25 ° C
2.0
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS= 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3412TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| NSVBAS21HT3G | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| IRFR3418TRLPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
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| T95X106M010CZAL | CAP TANT 10UF 10V 20% 2910 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3418 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR3418HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Bulk |
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| IRFR3418TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3418TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:80V 70.000A D-PAK - Tape and Reel |
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