参数资料
型号: IRFR3412TRRPBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 29A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3430pF @ 25V
功率 - 最大: 140W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U3412PbF
300
15V
250
TOP
ID
12A
21A
VDS
L
DRIVER
BOTTOM
29A
200
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
150
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
100
50
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T , Junction Temperature
( C)
J
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
6
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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