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参数资料
| 型号： | IRFR3706CPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | IRFR3706CPBF |
IRFR/U3706CPbF
10
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Starting T
J = 25°C, L = 0.54mH
RG = 25, IAS = 28A.
Pulse width ≤ 400s; duty cycle ≤ 2%.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
Rθ is measured at TJ approximately 90°C
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 06/2006
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3706 | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRFY140C | 16 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| IRFZ32 | 25 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFZ44VZ | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRG4BC20MD-S | 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3706CTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3706CTRR | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:High Frequency Isolated DC-DC Converters |
| IRFR3706CTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3706TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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